2N7002DW vs 2N7002ET1G

Это подробное сравнение 2N7002ET1G и 2N7002DW предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
2N7002ET1G

+БОМ

4059 ПКС | Онсеми
2N7002DW

+БОМ

6631 ПКС | Онсеми
Пакет SOT23-3
Описание MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
ProductStatus Active -
FETType N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 260mA (Ta) -
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V -
RdsOn(Max)@IdVgs 2.5Ohm @ 240mA, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 0.81 nC @ 5 V -
Vgs(Max) ±20V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 26.7 pF @ 25 V -
PowerDissipation(Max) 300mW (Tj) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Part Status - Active
Base Product Number - 2N7002
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power - Max - 200mW
Packaging - Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Модель сравнения : 2N7002ET1G 2N7002DW

+БОМ RFQ