2N7002DW vs 2N7002KT1G

Это подробное сравнение 2N7002KT1G и 2N7002DW предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
2N7002KT1G

+БОМ

2832 ПКС | Онсеми
2N7002DW

+БОМ

6631 ПКС | Онсеми
Пакет SOT23-3
Описание MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
ProductStatus Active -
FETType N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 320mA (Ta) -
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V -
RdsOn(Max)@IdVgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 24.5 pF @ 20 V -
PowerDissipation(Max) 350mW (Ta) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Part Status - Active
Base Product Number - 2N7002
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power - Max - 200mW
Packaging - Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Модель сравнения : 2N7002KT1G 2N7002DW

+БОМ RFQ