2N7002K-T1-GE3 vs 2N7002CK

Это подробное сравнение 2N7002K-T1-GE3 и 2N7002CK предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002K-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
4371 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

2N7002CK

Компания Nexperia USA Inc.

Lifecycle
Active
Stock
1570 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002K-T1-GE3 2N7002CK
Part Status Active Active
Series TrenchFET® -
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30 pF @ 25 V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Compare RFQ