BC847BTT1G vs BC847AW-TP

Это подробное сравнение BC847BTT1G и BC847AW-TP предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BTT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4750 ПКС
Package: SOT-416
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BC847AW-TP

Микрокоммерческая компания

Lifecycle: Active
Stock: 3794 ПКС
Package: SOT-323
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC847BTT1G	BC847AW-TP
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	Micro Commercial Co
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45 V	45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	200 @ 2mA, 5V	110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Power - Max	225 mW	-

Compare RFQ