BC847BTT1G
Онсеми
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 4750 ПКС
- Package
- SOT-416
- Series
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
Это подробное сравнение BC847BTT1G и BC847BMB,315 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Онсеми
Компания NXP Semiconductors
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | BC847BTT1G | BC847BMB,315 |
|---|---|---|
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC | Rochester Electronics, LLC |
| Series | - | Automotive, AEC-Q101 |
| Part Status | Active | Active |
| Transistor Type | NPN | NPN |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 100 mA | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 45 V | 45 V |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 15nA (ICBO) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 200 @ 2mA, 5V | 200 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 225 mW | 250 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |