BC847BTT1G vs BC847BMB,315

Это подробное сравнение BC847BTT1G и BC847BMB,315 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BTT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
4750 ПКС
Package
SOT-416
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
Part B

BC847BMB,315

Компания NXP Semiconductors

Lifecycle
Active
Stock
8417 ПКС
Package
SOT-883
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC847BTT1G BC847BMB,315
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Rochester Electronics, LLC
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 225 mW 250 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount