BC847BTT1G vs BC847AWT1

Это подробное сравнение BC847BTT1G и BC847AWT1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847BTT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
4750 ПКС
Package
SOT-416
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

BC847AWT1

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
8605 ПКС
Package
SOT-323
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC847BTT1G BC847AWT1
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 250mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
Compare RFQ