BC857BLT1G vs BC857SH6794XTSA1

Это подробное сравнение BC857BLT1G и BC857SH6794XTSA1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC857BLT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 7181 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BC857SH6794XTSA1

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3846 ПКС
Package: SC-88
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC857BLT1G	BC857SH6794XTSA1
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45 V	45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	650mV @ 5mA, 100mA	650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	220 @ 2mA, 5V	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	300 mW	250mW
Frequency - Transition	100MHz	250MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ