BC857BLT1G vs BC857BS

Это подробное сравнение BC857BLT1G и BC857BS предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC857BLT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 7181 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BC857BS

Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

Lifecycle: Active
Stock: 1435 ПКС
Package: SOT-363
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BC857BLT1G	BC857BS
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP	2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45 V	45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	650mV @ 5mA, 100mA	300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	220 @ 2mA, 5V	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	300 mW	300mW
Frequency - Transition	100MHz	200MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ