BC857BLT1G vs BC857C

Это подробное сравнение BC857BLT1G и BC857C предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC857BLT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7181 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

BC857C

Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
6157 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BC857BLT1G BC857C
Part Status Active Active
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 200 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ