CSD16321Q5 vs CSD16415Q5

Это подробное сравнение CSD16321Q5 и CSD16415Q5 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD16321Q5

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
7266 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

CSD16415Q5

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
2028 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD16321Q5 CSD16415Q5
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Ta), 100A (Tc) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 3V, 8V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.4mOhm @ 25A, 8V 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) +10V, -8V +16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 12.5 V 4100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta) 3.2W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ