CSD87312Q3E vs CSD87313DMS Сравнение
Это подробное сравнение CSD87312Q3E и CSD87313DMS предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TDFN-8
WDFN-8
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier
-
Texas Instruments
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Source
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.3V @ 250µA
1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1250pF @ 15V
4290pF @ 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
27A
-
Rds On(Max) @ Id Vgs
33mOhm @ 7A , 8V
-
Power - Max
2.5W
-
