CSD87312Q3E vs CSD87351ZQ5D Сравнение

Это подробное сравнение CSD87312Q3E и CSD87351ZQ5D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
CSD87312Q3E

+БОМ

5430 ПКС | Техасские инструменты
CSD87351ZQ5D

+БОМ

9225 ПКС | Техасские инструменты
Пакет TDFN-8 LDFN-8
Описание MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
Supplier - Texas Instruments,Rochester Electronics, LLC
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 27A 32A
Vgs(th)(Max) @ Id 1.3V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V 7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1250pF @ 15V 1255pF @ 15V
Power - Max 2.5W 12W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Rds On(Max) @ Id Vgs 33mOhm @ 7A , 8V -
Модель сравнения : CSD87312Q3E CSD87351ZQ5D

+БОМ RFQ