CSD87331Q3D vs CSD87313DMS Сравнение

Это подробное сравнение CSD87331Q3D и CSD87313DMS предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
CSD87331Q3D

+БОМ

6404 ПКС | Техасские инструменты
CSD87313DMS

+БОМ

6204 ПКС | Техасские инструменты
Пакет LDFN-8 WDFN-8
Описание MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Standard Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V, 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 518pF @ 15V 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 15A -
Power - Max 6W -
Модель сравнения : CSD87331Q3D CSD87313DMS

+БОМ RFQ