CSD87331Q3D vs CSD87335Q3D Сравнение
Это подробное сравнение CSD87335Q3D и CSD87331Q3D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
LDFN-8
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
6W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
FET Type
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Standard
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
15A
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.1V, 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
518pF @ 15V
