CSD87335Q3D vs CSD87352Q5D

Это подробное сравнение CSD87335Q3D и CSD87352Q5D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87335Q3D

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
6547 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы
+БОМ RFQ
Part B

CSD87352Q5D

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
7750 ПКС
Package
LDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD87335Q3D CSD87352Q5D
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W 8.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 25A
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.15V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 12.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1800pF @ 15V
Compare RFQ