CSD87335Q3D vs CSD87313DMS

Это подробное сравнение CSD87335Q3D и CSD87313DMS предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87335Q3D

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 6547 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы

+БОМ RFQ

Part B

CSD87313DMS

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 6204 ПКС
Package: WDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD87335Q3D	CSD87313DMS
Supplier	-	Texas Instruments
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	-	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature	-	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	4290pF @ 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	CSD87335Q3	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Configuration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 15V	-
Power - Max	6W	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

Compare RFQ