CSD87331Q3D vs CSD87350Q5D

Это подробное сравнение CSD87331Q3D и CSD87350Q5D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87331Q3D

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 6404 ПКС
Package: LDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

CSD87350Q5D

Техасские инструменты

Lifecycle: Active
Stock: 7004 ПКС
Package: LDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD87331Q3D	CSD87350Q5D
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	15A	40A
Vgs(th)(Max) @ Id	2.1V, 1.2V @ 250µA	2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V	10.9nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	518pF @ 15V	1770pF @ 15V
Power - Max	6W	12W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	5.9mOhm @ 20A, 8V

Compare RFQ