DGD2190MS8-13 vs DGD2117S8-13 Сравнение
Это подробное сравнение DGD2190MS8-13 и DGD2117S8-13 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
SOIC-8
SOIC-8
Описание
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
High-Side
Channel Type
Independent
Single
Number of Drivers
2
1
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.5V
6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
4.5A, 4.5A
290mA, 600mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
25ns, 20ns
75ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TA)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
