DGD2190MS8-13 vs DGD2136MS28-13 Сравнение

Это подробное сравнение DGD2190MS8-13 и DGD2136MS28-13 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
DGD2190MS8-13

+БОМ

2801 ПКС | Включенные диоды
DGD2136MS28-13

+БОМ

7489 ПКС | Включенные диоды
Пакет SOIC-8 SOIC-28
Описание IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent 3-Phase
Number of Drivers 2 6
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output(Source Sink) 4.5A, 4.5A 200mA, 350mA
Input Type Non-Inverting Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 20ns 90ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : DGD2190MS8-13 DGD2136MS28-13

+БОМ RFQ