FDC655BN vs FDC653N

Это подробное сравнение FDC653N и FDC655BN предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDC653N

+БОМ

5502 ПКС | Онсеми
FDC655BN

+БОМ

3988 ПКС | Онсеми
Пакет SSOT-6 SSOT-6
Описание MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5A (Ta) 6.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 35mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 350 pF @ 15 V 570 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - PowerTrench®
Модель сравнения : FDC653N FDC655BN

+БОМ RFQ