FDC658AP vs FDC653N
Это подробное сравнение FDC653N и FDC658AP предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SSOT-6
SSOT-6
Описание
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5A (Ta)
4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
35mOhm @ 5A, 10V
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
17 nC @ 10 V
8.1 nC @ 5 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
350 pF @ 15 V
470 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
1.6W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
PowerTrench®
