FDC6561AN vs FDC658AP
Это подробное сравнение FDC658AP и FDC6561AN предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SSOT-6
SSOT-6
Описание
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
2 N-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4A (Ta)
2.5A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4A, 10V
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
8.1 nC @ 5 V
3.2nC @ 5V
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
470 pF @ 15 V
220pF @ 15V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
-
Logic Level Gate
Power-Max
-
700mW
