FDG6301N vs FDG6322C_D87Z Сравнение

Это подробное сравнение FDG6301N и FDG6322C_D87Z предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDG6301N

+БОМ

7191 ПКС | Онсеми
FDG6322C_D87Z

+БОМ

3942 ПКС | Онсеми
Пакет SC-88
Описание MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 220mA, 410mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDG6301 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : FDG6301N FDG6322C_D87Z

+БОМ RFQ