FDMC8030 vs FDMC8032L

Это подробное сравнение FDMC8030 и FDMC8032L предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC8030

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3544 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы
+БОМ RFQ
Part B

FDMC8032L

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
6487 ПКС
Package
WDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDMC8030 FDMC8032L
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 7A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 11nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 720pF @ 20V
Power - Max 800mW 1.9W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMC80 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Compare RFQ