FDMC8030 vs FDMC86259P

Это подробное сравнение FDMC8030 и FDMC86259P предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDMC8030

+БОМ

3544 ПКС | Онсеми
FDMC86259P

+БОМ

7633 ПКС | Онсеми
Пакет
Описание MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33 MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
Base Product Number FDMC80 FDMC86259
FET Type - P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V 107mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 32 nC @ 10 V
Vgs (Max) - ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V 2045 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max) - 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Power - Max 800mW -
Модель сравнения : FDMC8030 FDMC86259P

+БОМ RFQ