FDMC8030 vs FDMC86116LZ
Это подробное сравнение FDMC8030 и FDMC86116LZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
Описание
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
FDMC80
FDMC86116
FET Type
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1975pF @ 20V
310 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
-
2.3W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Power - Max
800mW
-
