FDMC8030 vs FDMC86116LZ

Это подробное сравнение FDMC8030 и FDMC86116LZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC8030

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 3544 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы

+БОМ RFQ

Part B

FDMC86116LZ

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6484 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDMC8030	FDMC86116LZ
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Obsolete	Active
Base Product Number	FDMC80	FDMC86116
FET Type	-	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A	3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 12A, 10V	103mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	-	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 20V	310 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	-	2.3W (Ta), 19W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	-
FET Feature	Logic Level Gate	-
Power - Max	800mW	-

Compare RFQ