FDMC8032L vs FDMC8327L

Это подробное сравнение FDMC8032L и FDMC8327L предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDMC8032L

+БОМ

6487 ПКС | Онсеми
FDMC8327L

+БОМ

6878 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
Пакет PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
Описание MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A 12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 20mOhm @ 7A, 10V 9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 10V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 720pF @ 20V 1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) - 2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
FETFeature Logic Level Gate -
Power-Max 1.9W -
Модель сравнения : FDMC8032L FDMC8327L

+БОМ RFQ