FDMC8032L vs FDMC86160

Это подробное сравнение FDMC8032L и FDMC86160 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDMC8032L

+БОМ

6487 ПКС | Онсеми
FDMC86160

+БОМ

4379 ПКС | Онсеми
Пакет PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
Описание MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A 9A (Ta), 43A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 20mOhm @ 7A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 10V 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 720pF @ 20V 1290 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) - 2.3W (Ta), 54W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
FETFeature Logic Level Gate -
Power-Max 1.9W -
Модель сравнения : FDMC8032L FDMC86160

+БОМ RFQ