FDS6930B vs FDS6900AS-G

Это подробное сравнение FDS6930B и FDS6900AS-G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS6930B

+БОМ

16996 ПКС | Онсеми
FDS6900AS-G

+БОМ

6507 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Flip Electronics,onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.5A 6.9A, 8.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 38mOhm @ 5.5A, 10V 27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 3.8nC @ 5V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 412pF @ 15V 600pF @ 15V
Power-Max 900mW 900mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : FDS6930B FDS6900AS-G

+БОМ RFQ