FDS6930B vs FDS6930A

Это подробное сравнение FDS6930B и FDS6930A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
16996 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

FDS6930A

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2195 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDS6930B FDS6930A
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC -
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.5A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 412pF @ 15V -
Power - Max 900mW 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 40mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 460pF @ 15V
Base Product Number - FDS6930
Compare RFQ