FDS6930B vs FDS6911

Это подробное сравнение FDS6930B и FDS6911 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
16996 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Part B

FDS6911

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
9582 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDS6930B FDS6911
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.5A 7.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V 13mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V 24nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 412pF @ 15V 1130pF @ 15V
Power - Max 900mW 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount