FDS8949 vs FDS8984-F085 Сравнение

Это подробное сравнение FDS8949 и FDS8984-F085 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS8949

+БОМ

6681 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
FDS8984-F085

+БОМ

2338 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30V
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Series PowerTrench® -
FET Type 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 6A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 11nC @ 5V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 955pF @ 20V -
Power - Max 2W -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Модель сравнения : FDS8949 FDS8984-F085

+БОМ RFQ