FDS8958B vs FDS8958

Это подробное сравнение FDS8958B и FDS8958 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS8958B

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2336 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

FDS8958

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 8708 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDS8958B	FDS8958
Supplier	-	onsemi
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.4A, 4.5A	7A, 5A
Rds On(Max) @ Id Vgs	26mOhm @ 6.4A, 10V	28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	12nC @ 10V	26nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	540pF @ 15V	789pF @ 10V
Power - Max	900mW	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ