FDS8958B vs FDS8958A

Это подробное сравнение FDS8958A и FDS8958B предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS8958A

+БОМ

3494 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
FDS8958B

+БОМ

2336 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A, 5A 6.4A, 4.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 7A, 10V 26mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 16nC @ 10V 12nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 575pF @ 15V 540pF @ 15V
Power-Max 900mW 900mW
MountingType Surface Mount Surface Mount
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Модель сравнения : FDS8958A FDS8958B

+БОМ RFQ