FDS8958B vs FDS8949

Это подробное сравнение FDS8949 и FDS8958B предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS8949

+БОМ

6681 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
FDS8958B

+БОМ

2336 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A 6.4A, 4.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 10V 26mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 5V 12nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 955pF @ 20V 540pF @ 15V
Power-Max 2W 900mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : FDS8949 FDS8958B

+БОМ RFQ