FDS8958B vs FDS8984-F085 Сравнение

Это подробное сравнение FDS8958B и FDS8984-F085 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS8958B

+БОМ

2336 ПКС | Онсеми
FDS8984-F085

+БОМ

2338 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30V
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Series PowerTrench® -
FET Type N and P-Channel -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.4A, 4.5A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 26mOhm @ 6.4A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12nC @ 10V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 540pF @ 15V -
Power - Max 900mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Модель сравнения : FDS8958B FDS8984-F085

+БОМ RFQ