IR2110SPBF vs IR2110STRPBF

Это подробное сравнение IR2110SPBF и IR2110STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IR2110SPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 7475 ПКС
Package: SOIC 16W
Series: PMIC - Драйверы ворот

+БОМ RFQ

Part B

IR2110STRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 1823 ПКС
Package: SOIC 16W
Series: PMIC - Драйверы ворот

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IR2110SPBF	IR2110STRPBF
Part Status	Active	Active
Driven Configuration	Half-Bridge	Half-Bridge
Channel Type	Independent	Independent
Number of Drivers	2	2
Gate Type	IGBT, N-Channel MOSFET	IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply	3.3V ~ 20V	3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH	6V, 9.5V	6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink)	2A, 2A	2A, 2A
Input Type	Non-Inverting	Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)	500 V	500 V
Rise / Fall Time(Typ)	25ns, 17ns	25ns, 17ns
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ