IRF540NSTRLPBF vs IRF540NPBF

Это подробное сравнение IRF540NPBF и IRF540NSTRLPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF540NPBF

+БОМ

7435 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF540NSTRLPBF

+БОМ

5560 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220 TO-263-3
Описание MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 33A (Tc) 33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 44mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 71 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 130W (Tc) 130W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Surface Mount
Модель сравнения : IRF540NPBF IRF540NSTRLPBF

+БОМ RFQ