IRF540NSTRLPBF vs IRF540ZLPBF

Это подробное сравнение IRF540ZLPBF и IRF540NSTRLPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF540ZLPBF

+БОМ

1630 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF540NSTRLPBF

+БОМ

5560 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-262 TO-263-3
Описание IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Series Bulk HEXFET®
Type Active -
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 71 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) - 130W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Модель сравнения : IRF540ZLPBF IRF540NSTRLPBF

+БОМ RFQ