IRF5852TRPBF vs IRF5852

Это подробное сравнение IRF5852TRPBF и IRF5852 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF5852TRPBF

+БОМ

8043 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF5852

+БОМ

9993 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Описание MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Obsolete Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.7A 2.7A
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.25V @ 250µA 1.25V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 400pF @ 15V 400pF @ 15V
Power-Max 960mW 960mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF5852TRPBF IRF5852

+БОМ RFQ