IRF5852TRPBF vs IRF5810
Это подробное сравнение IRF5852TRPBF и IRF5810 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Obsolete
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.7A
2.9A
RdsOn(Max)@IdVgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.25V @ 250µA
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
6nC @ 4.5V
9.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 15V
650pF @ 16V
Power-Max
960mW
960mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
