IRF7103TRPBF vs IRF7103QTRPBF

Это подробное сравнение IRF7103TRPBF и IRF7103QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7103TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3890 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

IRF7103QTRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4078 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7103TRPBF	IRF7103QTRPBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V	50V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3A	3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	130mOhm @ 3A, 10V	130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	30nC @ 10V	15nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290pF @ 25V	255pF @ 25V
Power - Max	2W	2.4W
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	HEXFET®	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-

Compare RFQ