IRF7103TRPBF vs IRF7101TRPBF

Это подробное сравнение IRF7103TRPBF и IRF7101TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7103TRPBF

+БОМ

3890 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7101TRPBF

+БОМ

4760 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A 3.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 30nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290pF @ 25V 320pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7103TRPBF IRF7101TRPBF

+БОМ RFQ