IRF7103TRPBF vs IRF7106

Это подробное сравнение IRF7103TRPBF и IRF7106 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7103TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3890 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

IRF7106

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7424 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7103TRPBF IRF7106
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Standard Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A 3A, 2.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 30nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 290pF @ 25V 300pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Compare RFQ