IRF7304TRPBF vs IRF7338PBF

Это подробное сравнение IRF7304TRPBF и IRF7338PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7304TRPBF

+БОМ

6900 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7338PBF

+БОМ

6456 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.3A 6.3A, 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 22nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 610pF @ 15V 640pF @ 9V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7304TRPBF IRF7338PBF

+БОМ RFQ