IRF7317TRPBF vs IRF7338PBF

Это подробное сравнение IRF7317TRPBF и IRF7338PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7317TRPBF

+БОМ

2170 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7338PBF

+БОМ

6456 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.6A, 5.3A 6.3A, 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900pF @ 15V 640pF @ 9V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7317TRPBF IRF7338PBF

+БОМ RFQ