IRF7309TRPBF vs IRF7307QTRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRF7309TRPBF и IRF7307QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
SOIC-8
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N and P-Channel
N and P-Channel
FET Feature
Standard
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4A, 3A
5.2A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
520pF @ 15V
660pF @ 15V
Power - Max
1.4W
2W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
