IRF7314TRPBF vs IRF7303QTRPBF

Это подробное сравнение IRF7314TRPBF и IRF7303QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7314TRPBF

+БОМ

2624 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7303QTRPBF

+БОМ

6982 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.3A 4.9A
RdsOn(Max)@IdVgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 29nC @ 4.5V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 780pF @ 15V 520pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Модель сравнения : IRF7314TRPBF IRF7303QTRPBF

+БОМ RFQ