IRF7389TRPBF vs IRF7313TRPBF-1

Это подробное сравнение IRF7389TRPBF и IRF7313TRPBF-1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7389TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 2749 ПКС
Package: SO-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

IRF7313TRPBF-1

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4102 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7389TRPBF	IRF7313TRPBF-1
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	6.5A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs	29mOhm @ 5.8A, 10V	29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	33nC @ 10V	33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	650pF @ 25V	650pF @ 25V
Power - Max	2.5W	2W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ