IRF7341TRPBF vs IRF7389TRPBF

Это подробное сравнение IRF7341TRPBF и IRF7389TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7341TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
4836 ПКС
Package
SO-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

IRF7389TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
2749 ПКС
Package
SO-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7341TRPBF IRF7389TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.7A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 740pF @ 25V 650pF @ 25V
Power - Max 2W 2.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ